MMBT2907ALT1G PNP 600mA 60V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolárne tranzistory – BJT Odporúčaný obrázok RoHS

MMBT2907ALT1G PNP 600mA 60V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolárne tranzistory – BJT RoHS

Stručný opis:

Výr.časť: MMBT2907ALT1G
Výrobca: ON Semiconductor
Balenie: SOT-23(SOT-23-3)
Popis: Bipolárne tranzistory – BJT 600mA 60V PNP
Technický list: Kontaktujte nás.

Pošlite nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Parameter produktu

Atribút	Hodnota
Výrobca:	ON Semiconductor
Kategória produktu:	Bipolárne tranzistory - BJT
RoHS:	Podrobnosti
Štýl montáže:	SMD/SMT
Balenie / puzdro:	SOT-23-3
Polarita tranzistora:	PNP
Konfigurácia:	Slobodný
Kolektor- Napätie emitora VCEO Max:	- 60 V
Kolektor – základné napätie VCBO:	- 60 V
Emitor – základné napätie VEBO:	5 V
Saturačné napätie kolektor-emitor:	- 1,6 V
Maximálny jednosmerný kolektorový prúd:	0,6 A
Pd - Stratový výkon:	225 mW
Produkt získania šírky pásma fT:	200 MHz
Minimálna prevádzková teplota:	- 55 °C
Maximálna prevádzková teplota:	+ 150 °C
Séria:	MMBT2907AL
Balenie:	Odstrihnúť pásku
Balenie:	MouseReel
Balenie:	Navijak
výška:	0,94 mm
dĺžka:	2,9 mm
Technológia:	Si
šírka:	1,3 mm
Značka:	ON Semiconductor
Priebežný kolektorový prúd:	- 0,6 A
DC kolektor / základný zisk hfe min:	75
Typ produktu:	BJT - bipolárne tranzistory
Továrenské množstvo balenia:	3000
Podkategória:	Tranzistory
Hmotnosť jednotky:	0,001058 oz